Este dispositivo existe aunque no está fácilmente disponible en cantidades de unidades individuales, sus amplificadores de salida se interpondrán y es muy no lineal.
Es un MOSFET de puerta flotante, utilizado en memoria Flash, EEPRom y otros. La carga de programación puede ser variable, aunque algo impredecible, ya que el túnel FN (Fowler Nordheim) será variable a través de la matriz. Si bien no es lineal, es un efecto proporcional, por lo que puede imaginarse diseñando un circuito que linealice el efecto de programación (de Vth shift). Será estable durante semanas o meses, por lo que cumple con los requisitos de horas que usted dice que necesitaría.
Pero mucho depende de las especificaciones que necesita, cuánta deriva es aceptable, etc.
Para que quede claro aquí, estoy hablando del dispositivo / transistor individual, no del componente completo, ya que los circuitos de soporte de un Flash le impedirán operar las células de esta manera.
Aquí hay 3 referencias de un artículo de EDN que hablan de una compañía llamada GTronix que fue adquirida por National Semi (ahora TI).
Lee, BW, BJ Sheu y H Yang, "Sinapsis analógicas de puerta flotante para cómputo neuronal VLSI de propósito general", IEEE Transactions on Circuits and Systems, Volumen 38, Número 6, junio de 1991, pág. 654.
Fujita, O e Y Amemiya, "Un dispositivo de memoria analógica de puerta flotante para redes neuronales", IEEE Transactions on Electron Devices, Volumen 40, Número 11, noviembre de 1993, pág. 2029.
Smith, PD, M Kucic y P Hasler, "Programación precisa de arreglos analógicos de puerta flotante", Simposio internacional de IEEE sobre circuitos y sistemas, Volumen 5, mayo de 2002, pág. V-489.
Hay otra clase de dispositivo que se llama un transistor MNOS (Semiconductor de óxido de nitruro metálico) en el que hay dos dieléctricos en la puerta, uno de los cuales es Si3N4, que tiene muchas trampas. Este dispositivo funciona de manera muy similar a la celda flash anterior.