Intel RS3UC080 (LSI3008) + Samsung Evo 840 = ¿rendimiento de escritura lento?

Estoy obteniendo un rendimiento de escritura bastante lento en comparación con mi placa Z87. ¿Alguien sabe si estos resultados se esperan del Intel RS3UC080 o cuál sería el problema si hubiera alguno?

A continuación se muestra el hardware / software que utilicé para realizar las pruebas. Las últimas actualizaciones de firmware para RS3UC080 y SSD ya están instaladas.

Controlador: Intel RS3UC080 (LSI3008) Placa
base: Asus Hero VI (chipset Z87)
CPU: 4770K @ 4,5 GHz
Ram: 16GB @ 2,4GHz Plano
posterior: HP DL360 G6
SSD: 4x Samsung Evo 840 120GB en Raid-0

Herramienta de referencia: AS SSD Benchmark 1.8.5611.39791 y 1.7.4739.38088
SO: Windows XP 8.1 x64

Ejecuté las pruebas usando el mismo hardware, una vez con el Intel RS3UC080 usando el Backplane de un DL360 G6 y una vez sin él conectando directamente las unidades a la placa base.

La matriz de incursiones en el Intel RS3UC080 se creó a través de la utilidad de configuración que aparece durante el arranque.

Acabo de notar que AS SSD se configuró en alemán cuando se tomó una captura de pantalla. Abajo están las traducciones.

lesen = leer
schreiben = escribir
zugriffszeit = tiempo de acceso

RS3UC080 Z87

ssd performance benchmarking

— Susan
fuente

Respuestas:

No conozco este controlador, pero ¿ha intentado deshabilitar la caché del controlador para permitir el acceso directo del sistema operativo al disco? Había en algún lugar aquí un hilo similar con discos SSD y controlador LSI.

¿Puede proporcionar una captura de pantalla de las opciones de configuración del controlador?

— Michal Sokolowski
fuente

El RS3UC080 (LSI3008) no es un controlador RAID real y no tiene caché. En la utilidad de configuración que aparece durante el arranque, apenas hay opciones de configuración y todavía no sé cómo se supone que debe funcionar esta consola web de incursión.

— Susan

De acuerdo con el manual: lsi.com/downloads/Public/Host%20Bus%20Adapters/SAS3_IR_UG.pdf . Disk write caching, which is enabled by default on all Integrated Striping volumes

— Michal Sokolowski

Hay una "política de caché de disco" en la consola web de raid pero ya estaba habilitada. Creo que Windows está haciendo un poco de almacenamiento en caché, la lectura no debería ser más lenta que la escritura en la prueba 4K en el Z87.

— Susan

¿Puedes desactivarlo y comprobar si ayuda?

— Michal Sokolowski

Solo lo intenté, deshabilitar la política de caché de disco tampoco ayuda.

— Susan

El problema es la tasa de error de bits sin procesar que aumenta exponencialmente con flash TLC de 21 nm ... ECC intenta ocultarlo al consumidor, pero el calor adicional producido por la CPU SSD hace que se sobrecaliente y desacelere. (especialmente si lee, modifica y escribe).

http://techreport.com/review/27727/some-840-evos-still-vulnerable-to-read-speed-slowdowns

Evite las unidades de TLC de menos de 25 nm si puede (como la peste). Utilice samsung 850 pro o similar con MLC o SLC 3D NAND. Preferiblemente hecho con 35nm + nodo de proceso. (Cuanto más grande es el área cargada, más electrones puede contener, mayor es el tiempo de retención).

Asegúrese de que el controlador de incursión sea compatible con TRIM.

Establezca el tamaño de la franja en tamaño de bloque de borrado flash.

Use el clúster de 64K en NTFS.

Asegúrese de que noatime esté configurado y realice todas las SSD recomendadas para la optimización.

— marca
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