No puedo hablar sobre FRAM (memoria ferroeléctrica), pero cualquier tecnología que utilice puertas flotantes para almacenar carga, cualquier forma de EPROM, incluidas EEPROM y Flash, se basa en la "tunelización" de electrones a través de una barrera aislante de óxido de silicio muy delgada para cambiar el cantidad de carga en la puerta.
El problema es que la barrera de óxido no es perfecta, ya que "crece" sobre la matriz de silicio, contiene una cierta cantidad de defectos en forma de límites de grano de cristal. Estos límites tienden a "atrapar" los electrones de túnel más o menos permanentemente, y el campo de estos electrones atrapados interfiere con la corriente de túnel. Finalmente, queda atrapada suficiente carga para que la celda no se pueda escribir.
El mecanismo de captura es muy lento, pero es suficiente para dar a los dispositivos un número finito de ciclos de escritura. Obviamente, el número citado por el fabricante es un promedio estadístico (rellenado con un margen de seguridad) medido en muchos dispositivos.