¿Qué modificadores de diodo se utilizan en la práctica para modelar LED con SPICE (Berkeley v.3f5)? Estos están disponibles para mí:
# Name Parameter Units Default Example Area
1 IS Saturation current A 1e-14 1e-14 *
2 RS Ohmic resistance Ω 0 10 *
3 N Emission coefficient - 1 1.0
4 TT Transit-time s 0 0.1ns
5 CJO Zero-bias junction capacitance F 0 2pF *
6 VJ Junction potential V 1 0.6
7 M Grading coefficient - 0.5 0.5
8 EG Activation energy eV 1.11 1.11 Si
0.69 Sbd
0.67 Ge
9 XTI Saturation-current temperature exponent 3.0 3.0 jn
2.0 Sbd
10 KF Flicker noise coefficient - 0
11 AF Flicker noise exponent - 1
12 FC Coeff. for for.-bias dep. cap. formula 0.5
13 BV Reverse breakdown voltage V ∞ 40.0
14 IBV Current at breakdown voltage A 1.0e-3
15 TNOM Parameter measurement temp. °C 27 50
3.4.2 Modelo de diodo (D)
Las características de CC del diodo están determinadas por los parámetros IS y N. Se incluye una resistencia óhmica, RS. Los efectos de almacenamiento de carga se modelan mediante un tiempo de tránsito, TT y una capacitancia de capa de agotamiento no lineal que está determinada por los parámetros CJO, VJ y M. La dependencia de la temperatura de la corriente de saturación está definida por los parámetros EG, la energía y XTI, el exponente actual de temperatura de saturación. La temperatura nominal a la que se midieron estos parámetros es TNOM, que por defecto es el valor de todo el circuito especificado en la línea de control .OPTIONS. La descomposición inversa está modelada por un aumento exponencial en la corriente de diodo inverso y está determinada por los parámetros BV e IBV (los cuales son números positivos).
Por ejemplo, usando este rojo básico y barato:
No me importan mucho las características de alta frecuencia, solo me gustaría poder igualar su curva IV dentro de sus especificaciones de funcionamiento (fuga de -10uA / -5V a + 100mA / + 2.2 'ish V hacia adelante):