Comparé diodos 1N400x aquí . Por lo que veo, todas sus propiedades son las mismas que no sean sus voltajes inversos máximos.
Su
son lo mismo.
Parece que 1N4007 es la super versión de todos los demás diodos 1N400x. Entonces, ¿por qué uno produciría diodos 1N4001 ... 1N4006, y por qué uno los compraría? Si 1N4007 hace el trabajo solo, ¿por qué las otras versiones todavía están en el mercado?
Respuestas:
Las respuestas de @Vasiliy y @johnfound son incorrectas. Los diodos 1N400x no son todos idénticos excepto por variaciones de fabricación "accidentales".
Los diodos con clasificaciones de voltaje inverso más altas se fabrican intencionalmente con un dopaje más ligero para que la región de agotamiento para un voltaje inverso dado sea más ancha de lo que sería de otra manera. La desventaja del dopaje más ligero es que la resistencia directa y la caída de voltaje para un diodo de alto voltaje es más alta de lo que sería para un diodo de bajo voltaje.
Por lo tanto, puede usar un 1N4007 para todas sus aplicaciones, pero la eficiencia de su circuito será ligeramente mayor si usa un diodo con una clasificación más adecuada en aplicaciones de bajo voltaje.
Debido a las variaciones del proceso, los dispositivos semiconductores fabricados pueden tener características diferentes. Muchos fabricantes emplean la estrategia de " agrupamiento " para las piezas fabricadas: prueban las piezas y las dividen entre varios "contenedores" en función del rendimiento de los dispositivos. Una vez que hacen esto, pueden vender los dispositivos con mejor rendimiento por más dinero.
Estoy completamente seguro de que la estrategia de agrupamiento se emplea para 1N400x, pero no puedo decir cuántos grupos se produjeron inicialmente. Mi suposición es de 2 grupos, de los cuales se derivaron 7 contenedores. Esta suposición se basa en el hecho de que los datos para la capacidad de unión típica en la hoja de datos tienen dos regiones. Incluso si tengo razón acerca de este fabricante, la cantidad de grupos puede ser específica del fabricante.
La diferencia entre estos diodos es principalmente su voltaje de ruptura inversa. Hay muchos más parámetros que difieren; parte de las diferencias se mencionan en la hoja de datos (como la capacidad de unión mencionada anteriormente), otras no. En general, la relación x20 en voltajes de ruptura inversa (entre 1N4001 y 1N4007) refleja diferencias importantes en las propiedades de las uniones. Estas propiedades deben afectar a casi cualquier parámetro eléctrico del diodo.
Los fabricantes tienden a representar que estos diodos tienen exactamente las mismas propiedades porque las diferencias muy finas no son importantes para las principales áreas de empleo de estos diodos. Sin embargo, hay aplicaciones que requieren más precisión.
La gente dice que también hay aplicaciones que aprovechan la descomposición inversa de los diodos. En estas aplicaciones, es posible que desee elegir un voltaje de ruptura adecuado. Sin embargo, no sé los detalles.
Mi suposición es que hace años, cuando estos diodos recién se introdujeron y los procesos de semiconductores no estaban maduros, las diferencias entre los diferentes diodos eran más pronunciadas.
Resumen:
Si el precio es el mismo y usa estos diodos en aplicaciones "estándar" (como la rectificación de baja frecuencia), puede usar cualquiera de ellos siempre que satisfaga sus requisitos de voltaje de ruptura inversa. Si planea usarlos para algo más sensible, puede probarlos todos para ver cuál se adapta mejor.
Parece que hay dos tipos de diodos fundamentalmente diferentes vendidos como 1N4001..1N4007. El primer tipo es un diodo convencional y se vende como 1N4001..1N4005. No hay desventaja (excepto posiblemente el precio) en el uso de diodos 1N4005 para todo. En mi experiencia, la diferencia de precio es muy nominal o inexistente en grandes cantidades, por ejemplo, en el precio de 100k, Digikey enumera ambos a $ 11.20 / k al momento de escribir este artículo.
El segundo tipo es una construcción PIN. y se usa para 1N4006 y 1N4007.
1N4006-1N4007 tienen peor tiempo de recuperación hacia adelante y hacia atrás. También tienen una capacitancia de unión más baja en todos los voltajes de polarización inversa (por ejemplo, 10pF vs. 15pF a -10V). Para conocer las curvas reales que ilustran la diferencia, consulte los libros de datos de la Biblioteca de semiconductores de Motorola. Por ejemplo:
Para la rectificación de 50/60 Hz, hay poca diferencia sustancial, y no hay diferencia en el voltaje directo a una corriente dada.
En los tiempos modernos, probablemente usaríamos un tipo diferente de diodo a frecuencias más altas (más de unos pocos kHz de onda cuadrada o tal vez una onda sinusoidal de 5kHz) por lo que las diferencias ya no son tan importantes, pero algunas personas han introducido los tipos de PIN en el servicio de RF.
Seguro que me gusta la respuesta de Spehro Pefhany, pero en las hojas de datos de hoy, muchos ya no mencionan ninguna diferencia ... http://www.comchiptech.com/cms/UserFiles/QW-BG013%201N4001%20Thru456224.%201N4007%20REV .A.pdf
http://www.mccsemi.com/up_pdf/1N4001-1N4007(DO-41).pdf
http://www.vishay.com/docs/88504/1n4001gp.pdf
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/1N4001-D.PDF
La versión original de Diodes Inc. tiene esta diferencia, donde la capacitancia de unión es peor para las versiones de bajo voltaje ...
Pero todos son 8pF en las nuevas versiones 1N400xG ...
Parece que ya no hay una diferencia perceptible, aparte de que muchas BOM tienen diferentes versiones especificadas, por lo que cada MFR sigue ofreciendo cada versión.
Todos estos son el mismo diodo. La tecnología de semiconductores no es tan precisa, por lo que los diodos, producidos en un ciclo tecnológico, son diferentes. Después de ordenar se marcan respectivamente. Es una práctica común no solo para diodos.
Además, a veces (no muy a menudo) hay esquemas en los que el diodo funciona en modo de ruptura de avalancha, por lo que necesitará que el voltaje de ruptura sea predecible.