Algunos MOSFET, incluida la mayoría de los que están en paquetes "independientes", tienen la fuente conectada al drenaje. Dichos MOSFET tendrán un diodo inherente en ellos entre la fuente y el drenaje, que se conducirá si el MOSFET está sesgado en la dirección opuesta a la dirección que normalmente cambiaría (por ejemplo, si la fuente es más positiva que el drenaje para un NFET, o más negativa que escurrir para un PFET). La flecha en el símbolo indica la polaridad de este diodo.
Otros MOSFET, especialmente aquellos dentro de chips lógicos digitales, tienen los sustratos conectados a un riel de alimentación, independientemente de sus conexiones de fuente, drenaje y compuerta. Si bien uno podría incluir tales conexiones en un esquema, hacerlo sería algo así como agregar conexiones de riel de energía a cada puerta lógica en un esquema. Dado que el 99% de las puertas lógicas tienen su VDD vinculado a un VDD común, y su VSS conectado a un VSS común, tales conexiones serían ruido visual. Del mismo modo, cuando el 99% de los NFET tienen su sustrato unido al punto más negativo y el 99% de los PFET tienen su sustrato unido al punto más positivo. Si la conexión de sustrato de un MOSFET está implícita en lugar de mostrarse, se podría distinguir entre NFET y PFET utilizando una flecha para el terminal de sustrato no conectado, pero eso podría ser algo extraño.
Además, si bien es posible construir un MOSFET cuyo canal de drenaje de fuente es simétrico, el uso de un canal asimétrico mejorará el rendimiento cuando el dispositivo se usa para cambiar la corriente en una dirección, a expensas de su rendimiento en la otra dirección. Como esto es a menudo deseable, a menudo es útil tener símbolos esquemáticos que distingan entre la fuente y el drenaje. Dado que el símbolo del sustrato conectado a la fuente "marca" el cable de la fuente, y dado que los símbolos BJT marcan el emisor cuyo uso se parece más a la fuente, es común que los símbolos MOSFET que no tienen un sustrato marcado utilicen una flecha cuya dirección sea análoga a la de un BJT.
En mi opinión, la forma de apreciar la distinción es darse cuenta de que cuando se muestra una flecha para el sustrato, eso representa un lugar en el que generalmente se debe evitar que la corriente fluya en la dirección de la flecha, mientras que cuando se muestra una flecha para el sustrato fuente, que representa el flujo de corriente deseado .
Mi propia preferencia es usar un símbolo NFET con una flecha que apunta hacia afuera en la fuente, posiblemente con una flecha de drenaje de fuente sesgada hacia atrás en los casos en que eso sea relevante. Para un PFET, uso una flecha de fuente que apunta hacia adentro, y también agrego un círculo en la puerta. Cuando esbozo diseños conceptuales de VLSI con fines ilustrativos (nunca he estado involucrado en el diseño de un chip fabricado real), el símbolo NFET y el símbolo FET para transistores utilizados como puertas de paso bidireccionales no tendrán ninguna flecha, pero tendrán use el círculo o la falta del mismo como indicador de polaridad.
Por cierto, me parece curioso que en los casos en los que se utilizan MOSFET discretos para producir puertas de paso, es típico usar dos FET consecutivos, cada uno de cuya fuente está vinculada al sustrato. Puedo entender que en los casos en que un circuito uniría la fuente de un MOSFET a su sustrato, fabricar una parte con ellos conectados es más barato y más fácil que incluir un aislante; Sin embargo, creo que debería ser más barato hacer un MOSFET con un sustrato aislado que hacer dos MOSFET cada uno con una conexión fuente-sustrato. Me pregunto si las conexiones fuente-sustrato individuales serían generalmente "preferidas" dentro de un diseño VLSI, exceptopor el hecho de que es más fácil conectar muchos transistores con un sustrato común que aislar las conexiones de sustrato de transistores que tienen fuentes aisladas. ¿Quizás la situación es algo análoga a los tubos de vacío (algunos tubos conectan el cátodo a una de las conexiones de filamento, pero otros usan un pasador de cátodo separado)?
