En un NMOS, ¿fluye la corriente desde la fuente al drenaje o viceversa?


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En un NMOS, ¿fluye la corriente desde la fuente al drenaje o viceversa?

Esta página de Wikipedia me está confundiendo: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET

Imagen que me confunde

La imagen de arriba me confunde. Para el canal N, muestra la polaridad del diodo yendo hacia la fuente en algunos, pero lejos de la fuente en otros.

Me pregunto qué terminal debería estar conectado a la fuente de alimentación (es decir, el terminal positivo de la batería) y cuál debería estar conectado al usuario avanzado (es decir, el motor eléctrico).

Respuestas:


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La corriente convencional fluye del drenaje a la fuente en un MOSFET de canal N.
La flecha muestra la dirección del diodo del cuerpo en un MOSFET con un diodo parsítico entre la fuente y el drenaje a través del sustrato. Falta este diodo en silicio sobre zafiro.

2a es una topología JFet tan diferente.

2d es un MOSFET sin diodo corporal. YO'

\ 2e es un FET de modo de agotamiento: está encendido sin voltaje de compuerta y toma voltaje negativo para apagar el FET. Por lo tanto, el diodo tiene otra polaridad; de lo contrario, el diodo del cuerpo se conduciría siempre que hubiera voltaje de puerta.


Por lo general, usa 2d (aún mejor, sin flecha, ya que la fuente / drenaje está determinada por el voltaje, y no a priori) en los circuitos digitales. La mayor parte, de hecho, generalmente está conectada al riel (VCC o GND, dependiendo de la polaridad MOSFET). Pero sí, existen "MOSFET" sin diodo corporal: los transistores de película delgada (orgánicos o inorgánicos) son un ejemplo.
next-hack

@ next-hack (2) Sí. También dispositivos de sustrato aislante como Silicon on Saphire. (1) No me gusta el símbolo sin flecha. Su comentario "... determinado por el voltaje ..." es algo ambiguo (no está mal per se, solo que aquí tiene un significado incierto). Un dispositivo físico dado siempre es un canal P o N y la fuente y la identidad de los tres El terminal no cambia. El canal se mejora en 2 cuadrantes por Vgs, por lo que, por ejemplo, un flujo de corriente del canal N puede ser D a S o S a D PERO Vgs siempre debe ser positivo para encender el dispositivo. Sé que lo sabes pero leí tu comentario como sugiriendo lo contrario.
Russell McMahon

Sí, lo siento, me refería a los MOSFET planos en los circuitos integrados, donde son simétricos y se dibujan como dispositivos de 3 terminales, porque el sustrato está conectado a VDD (pMOSFET) o GND (nMOSFET).
siguiente hack

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Cuando existe un canal en un MOSFET, la corriente puede fluir desde el drenaje a la fuente o desde la fuente al drenaje; es una función de cómo se conecta el dispositivo en el circuito. El canal de conducción no tiene polaridad intrínseca, es como una resistencia en ese sentido.

Sin embargo, el diodo del cuerpo intrínseco dentro del MOSFET está en paralelo con el canal de conducción. Cuando el canal de conducción está presente, el diodo se deriva y la corriente fluye a través del camino de menor resistencia (el canal). Cuando el canal está apagado, el diodo está en circuito y se conducirá o bloqueará según la polaridad de la corriente de la fuente de drenaje.

Como muestra su imagen, hay dispositivos de canal N y de canal P, así como dispositivos de modo de mejora y de modo de agotamiento. En todos estos casos, la corriente puede fluir desde la fuente hasta el drenaje, así como desde el drenaje hasta la fuente: es solo una cuestión de cómo se conecta el dispositivo en el circuito.

Su imagen no muestra el diodo intrínseco en los dispositivos: el punto de flecha hacia o desde la puerta es una indicación del tipo de canal (los puntos del canal N hacia la puerta, los puntos del canal P lejos de la puerta).

MOSFET de mejora de canal n

Este símbolo le muestra el diodo inherente entre el drenaje y la fuente.

Vsolunatmi>Vsoturdomi

Vsolunatmi<Vsoturdomi

Dispositivos delpetion N-canal tienen un canal por defecto, y necesitan un voltaje en la puerta inferior de la fuente con el fin de convertir el canal fuera . El canal se puede ampliar hasta cierto punto aumentando el voltaje de puerta a fuente por encima de 0.

Dispositivos de agotamiento de canal P también tienen un canal por defecto, y necesitan un voltaje en la puerta superior de la fuente con el fin de convertir el canal fuera . El canal se puede ampliar hasta cierto punto disminuyendo el voltaje de puerta a fuente por debajo de 0.


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Desearía que el artículo de Wikipedia fuera tan claro.
Timmmm

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Gran respuesta, gracias. Creo que la respuesta se beneficiará si también explica para qué sirve el diodo. Suponiendo que haya una explicación simple, por supuesto.
Violet Giraffe

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@VioletGiraffe No es para nada, de verdad. Es solo una consecuencia de la construcción física de la pieza. Algunos diseños inteligentes lo utilizan, y algunos fabricantes también especifican su rendimiento.
Adam Lawrence el

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No he tomado ninguna clase de semiconductores, pero si está interesado en una respuesta limitada a la operación a nivel de circuito, la respuesta rápida es:

con NMOS , la corriente fluye desde el drenaje a la fuente (las flechas apuntan lejos del dispositivo en la fuente) con PMOS , la corriente fluye desde la fuente al drenaje (las flechas apuntan al dispositivo en la fuente)

En el diagrama anterior, las palabras canal P se refieren al tipo de canal que se forma debajo de la puerta. La P significa que el canal se forma en un semiconductor de tipo P, mientras que la N significa un semiconductor de tipo N.

Con respecto a la confusión. tienes razón, es confuso. Lo que estás viendo se conoce como una terminal atada al cuerpo fuente. En algunas aplicaciones esto es útil (ver más abajo para más información). Ignorarlo por el momento.

En general, cuando se examina un esquema de circuito analógico, es convencional ver flechas en el terminal Fuente del transistor.

Cuando se examinan los esquemas de nivel de transistor digital (en oposición a las puertas de nivel de puerta, es decir, AND, OR, XOR), convencionalmente, no hay flechas. El aspecto distintivo es que el PMOS tendrá una pequeña burbuja en la terminal Gate, mientras que el NMOS no tendrá ninguna burbuja. Tenga la seguridad de que, de hecho, son los mismos transistores (tanto PMOS como NMOS) en aplicaciones analógicas y digitales. Pero la forma en que se operan es muy diferente.

Dato curioso para un principiante El transistor es un dispositivo de cuatro terminales: compuerta, drenaje, fuente y cuerpo. Como introducción a la microelectrónica, es convencional ignorar la terminal del cuerpo inicialmente, pero solo para ayudarlo a familiarizarse con las ecuaciones principales. Sin embargo, existe un fenómeno semiconductor conocido como el efecto del cuerpo que introduce una capa adicional de complejidad en los cálculos manuales con respecto al cálculo del punto de operación en reposo de un transistor (el punto de operación en reposo es una palabra importante que encontrará; es solo una fantasía palabra que significa el punto de operación IV o voltaje de corriente del transistor en cuestión).

Modelar un transistor es una tarea muy compleja y es una disciplina de ingeniería eléctrica o física aplicada en sí misma. Cualquier libro de texto introductorio en microelectrónica generalmente comienza un capítulo que menciona uniones pn (un tipo de semiconductor de silicio dopado).

Si está realmente interesado y tiene una comprensión básica de las ecuaciones cuadráticas y el álgebra, puede echar un vistazo a un gran libro de texto introductorio escrito por Behzad Razavi . Desearía tener este libro cuando estudié microelectrónica en la universidad. Sin embargo, supone una comprensión de los circuitos básicos (es decir, resistencias, condensadores e inductores).


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Comprender cómo modelar un FET con la máxima precisión puede requerir un curso universitario o equivalente. Pero comprender el modelo básico y cómo usarlo en un circuito es algo que la mayoría de los aficionados deberían poder hacer.
El Photon

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Sí, la corriente puede fluir desde el drenaje a la fuente y viceversa. Para simplificarlo aún más, me gustaría agregar un poco a lo que @Adam Lawrence ha mencionado.

Estoy seguro de que está familiarizado con la sección transversal del transistor CMOS. Puede ver que la sección transversal del Mosfet ESTÁ INCLUSO desde la línea vertical central. Entonces, cualquier terminal (de los dos terminales en los lados de nmos) tiene un voltaje más alto que el otro terminal, que se convierte en su drenaje (para NMOS) y el otro terminal con menor voltaje se convierte en la fuente (para nmos). Lo contrario se sigue para pmos.

Sin embargo, tenga cuidado al comprar / tratar con Mosfets discretos de 3 pines (es decir, SiHG47N60EF ) donde el volumen interno ya está conectado a la fuente (para nmos) o al drenaje (para pmos) internamente. Esto hace que los pines mosfet sean predefinidos como se menciona en la hoja de datos. En ese caso, lo anterior sigue siendo cierto que el terminal de mayor voltaje es el drenaje y el terminal de menor voltaje es la fuente de nmos. Sin embargo, si aplica un voltaje más alto a la fuente predefinida como se menciona en la hoja de datos, los voltajes de umbral no serán los mismos que se mencionan en la hoja de datos. Y su transistor no se comportará igual que lo especificado en la hoja de datos.

ingrese la descripción de la imagen aquí


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Pero esta conmutación basada en voltaje no funcionaría en la mayoría de los transistores reales porque son diódicos, ¿verdad?
PitaJ

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Sí lo son. Esos mosfets diódicos se conocen como diodos de cuerpo inverso que tienen una estructura ligeramente diferente de la anterior y tiene razón, no funcionarán si intercambia los pines de drenaje y fuente. La imagen de arriba muestra el mosfet al que generalmente se hace referencia en un chip integrado, es decir, diseños VLSI.
dr3patel

La imagen muestra el tipo de MOSFET que se usa en los circuitos integrados, ya que permite que las conexiones de fuente y drenaje de cada transistor estén separadas, a expensas de conectar el sustrato de cada transistor y el gasto más significativo de requerir que toda la fuente, puerta y las conexiones de drenaje se realizarán en el mismo lado de la matriz.
supercat
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