Identificación de estructuras de GaAs FET

Encontré una foto en los efectos de mi abuelo que creo que es de un RF GaAs FET. Estaba trabajando en un laboratorio GaAs FET en el momento en que esta foto estaba fechada (1975). Estaba etiquetado en la parte posterior "ancho de puerta de 300 μm en mesa".

Creo que estaba relacionado con la patente estadounidense US4160984A presentada en 1977; él aparece como uno de los inventores.

La estructura es extraña para mí; ¿Dónde están la puerta, la fuente y el drenaje? Cualquier información adicional sobre la estructura sería apreciada.

semiconductors fet

— Mark Omo
fuente

Por lo general, un FET se modela de izquierda a derecha como "Fuente, puerta, drenaje", pero no puedo respaldarlo, ya que no se proporciona suficiente documentación y la imagen podría estar al revés. La estructura es muy simétrica. Es genial que tu abuelo haya sido parte de eso :) Mi abuelo era un ingeniero eléctrico que trabajó en los sistemas de guía Apollo para la NASA.

— KingDuken

Aquí hay una versión anotada de lo que es qué, desde mi experiencia presentando GaAs y GaN HEMT:

Puede ver el dedo de la puerta despegándose a ambos lados de los dos contactos de la puerta si mira de cerca. No puedo decir qué lado es el drenaje, qué lado es la fuente, pero si es un dispositivo simétrico, no son físicamente diferentes (por ejemplo, un FET diseñado para aplicaciones de interruptor). Mi conjetura es que el cuadro de línea discontinua es la región de la mesa.

Muy buena foto y fondo :)

— Shamtam
fuente

De hecho, es. Esa tira larga y delgada forma un contacto de Schottky con la epitaxia de GaAs en la que se deposita.

— Shamtam

A juzgar por la patente, parece que la parte "burbujeante" de la fuente y los contactos de drenaje (caja interna) es el contacto AuGe, y el metal justo en la puerta y la extensión del contacto es el contacto Al Schottkey para el MESFET estructura. El contacto superior derecho es probablemente el contacto del sustrato óhmico, el medio superior es quizás el contacto de la mesa óhmica. El medio superior puede ser un contacto de prueba para un contacto de mesa óhmica

— W5VO

Creo que lo que usted marcó "Mesa" puede ser el grabado de adelgazamiento en la mesa, y la mesa puede ser la mayor extensión (elemento 28 en la Fig. 4 en la patente). Si es así, eso haría que el contacto superior sea una fuente, ya que tiene un contacto óhmico a través de la mesa hacia el sustrato, mientras que el contacto óhmico inferior podría no cruzar la mesa.

— W5VO

@ W5VO Sí, estoy de acuerdo. Tras una lectura adicional de la patente, parece que el término utilizado es "mesa invertida" que me confundió; La terminología más común para mí es llamar a este tipo de estructura un FET de puerta empotrada (que es bastante estándar para que GaAs FET reduzca los diseños). Haré algunas actualizaciones en breve.

— Shamtam

No se preocupe, lo estaba mirando e iba a escribir algo durante el almuerzo cuando apareció su respuesta

— W5VO