La hoja de datos para un transistor BD679 enumera entre las clasificaciones máximas absolutas que el "Voltaje base del emisor" tiene un máximo de 5v.
Esta cifra me confunde: mi modelo mental de un transistor (BJT) tiene el camino desde la base al emisor equivalente al de un diodo y la diferencia de potencial es irrelevante: es la corriente la que controla la puerta.
He buscado este término y entre los resultados obtengo unos como este que parecen estar hablando de una propiedad diferente del transistor.
La notación ('Voltaje base del emisor' en lugar de 'Voltaje del emisor base') me hace pensar que esto podría estar refiriéndose al 'voltaje negativo' máximo que podría colocarse a través del Emisor base, en lugar del máximo en funcionamiento normal. ¿Es esto correcto?
Si no, ¿cuál es esta cifra y qué causa que esta unión tenga un máximo tan bajo en comparación con el resto del dispositivo?