Al calcular la resistencia de compuerta para un solo mosfet, primero modelo el circuito como un circuito RLC en serie. Donde, R
se calcula la resistencia de la compuerta. L
es la traza inductancia entre la puerta mosfet y la salida del controlador mosfet. C
es la capacitancia de entrada vista desde la puerta mosfet (dada como en la hoja de datos mosfet). Luego calculo el valor de la relación de amortiguación adecuada, el tiempo de subida y el sobreimpulso.R
¿Cambian estos pasos cuando hay más de un mosfets conectados en paralelo? ¿Puedo simplificar el circuito al no usar una resistencia de compuerta separada para cada mosfet, o se recomienda usar resistencias de compuerta separadas para cada mosfet? En caso afirmativo, ¿puedo tomar C
como la suma de los condensadores de compuerta de cada mosfet?
simular este circuito : esquema creado con CircuitLab
En particular, mi objetivo es conducir un puente H hecho de TK39N60XS1F-ND . Cada rama tendrá dos mosfets paralelos (8 mosfets en total). La sección del controlador mosfet constará de dos UCC21225A . La frecuencia de trabajo estará entre 50kHz y 100kHz. La carga será primaria de un transformador con una inductancia de 31.83 mH o más.