La razón es un tiempo de recuperación. Diodo puede tener 3 microsegundos, BJT es solo 5pF * N ohm ~ docena de nanosegundos. El diodo es mejor que BJT en un rango más lento, tiene corriente pA, cuando BJT tiene nA.
La física de la recuperación rápida para BJT puede explicarse por la muy baja capacitancia volumétrica (baja carga) de la base, porque la base BJT es muy delgada por diseño.
Supongo que los diodos de baja fuga tienen una distancia mucho más larga a través de la unión (gradientes de dopaje descendentes o incluso huecos), cuando los portadores deben acercarse a la región por difusión térmica, tunelado, lo que lleva tiempo. El espacio de diodo tiene un volumen muy grande (en comparación con el volumen base BJT) para llenar con portadores durante el tiempo de recuperación.