Fuente vs polaridad de drenaje para MOSFETS

Cuando uso MOSTEFS como interruptor, siempre veo el drenaje conectado al mayor potencial y la carga y la Fuente siempre están conectadas a tierra. ¿Puedes cambiarlos para que el pin de la fuente se conecte al potencial más alto y el drenaje esté conectado a tierra?

Para aclarar un poco lo que otros ya han dicho, un MOSFET tiene un diodo interno que apunta desde la fuente para drenar en dispositivos de canal N y drenar a fuente en dispositivos de canal P. Esto no es algo agregado deliberadamente por el fabricante, pero es un subproducto de la forma en que se hacen los MOSFET. La mayoría de las veces este diodo evitaría que el MOSFET sea útil cuando se voltea. Hay algunas aplicaciones que puede considerar "avanzadas" en las que este diodo se usa deliberadamente. Un ejemplo es hacer un rectificador síncrono. Eso es básicamente un diodo con un transistor al otro lado. El transistor se enciende cuando se sabe que el diodo debería estar conduciendo. Esto reduce la caída de voltaje a través del diodo y, a veces, se usa para cambiar las fuentes de alimentación para obtener un poco más de eficiencia.

Su observación de que la fuente es negativa y de drenaje positivo es verdadera para los FET de canal N. Al igual que hay transistores bipolares NPN y PNP, hay FET de canal N y P que son imágenes especulares entre sí en cuanto a polaridad. El canal AP FET estaría conectado con una fuente positiva y un drenaje negativo. En el estado apagado, la puerta se mantiene en el voltaje de la fuente. Para encenderlo, la puerta se baja en 12-15V con respecto a la fuente para la mayoría de los MOSFET normales.

Si desea una carga con referencia a tierra, puede usar un MOSFET de canal P. Esta será una imagen especular del circuito que describa, es decir, con la fuente conectada al voltaje más alto y el drenaje conectado a 0V a través de la carga. Sin embargo, su unidad de compuerta deberá invertirse y deberá estar cerca de su voltaje más alto para apagar la carga.

Un mosfet es realmente un dispositivo de cuatro terminales. Drenaje, fuente, puerta y cuerpo.

Para un mosfet de canal N, las disposiciones de dopaje dan como resultado diodos que permiten que el flujo de corriente del cuerpo se drene y del cuerpo a la fuente.

Si tiene un mosfet con las cuatro terminales sacadas por separado, entonces hay una simetría entre el drenaje y la fuente. Siempre que el cuerpo se mantenga a un potencial menor o igual que el voltaje de drenaje y la fuente, el mosfet se puede usar para cambiar las corrientes en ambas direcciones.

Sin embargo, la mayoría de los mosfets discretos tienen un cuerpo conectado internamente a la fuente que efectivamente coloca un diodo desde la fuente hasta el drenaje. Por lo tanto, el mosfet solo puede bloquear el flujo de corriente en una dirección.

El problema es el diodo interno, que siempre conducirá en dirección inversa con una caída de 0.7V, por lo que cuando encienda MOSFET, bajará esa caída a 0V y eso es todo.

Puede hacerlo si su aplicación puede hacer frente al diodo de cuerpo inverso: hay algunas ocasiones en que esto puede ser útil, por ejemplo, protección de polaridad inversa con baja caída de voltaje.