¿Cuál es la diferencia entre los transistores NPN y PNP?


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Supongamos que sé cómo funciona un transistor NPN .

¿Qué tan diferente es un transistor PNP? ¿Cuáles son las diferencias operativas entre una PNP y una NPN?


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@Federico - ¿Qué te lleva a creer que Denilson quiere saber las diferencias físicas? Como aceptó la respuesta tal como está y se vinculó a la otra pregunta sobre las características operativas, llegué a la misma conclusión que Kortuk : ha cambiado el significado de la pregunta. Las ediciones no deben usarse para secuestrar hilos, en su lugar, edite para aclarar el significado de la publicación sin cambiarla .
Kevin Vermeer

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@Kevin Vermeer: ​​está perfectamente en línea con el título, que pregunta cuál es la diferencia. Denilson también pregunta en la pregunta cuáles son las diferencias operativas, y la respuesta aceptada solo habla sobre cómo conectarse. Si hay otras diferencias, creo que deberían ser respuestas a esta misma pregunta.
Federico Russo

@Kevin Vermeer: ​​También quería evitar que una nueva pregunta se cerrara como un duplicado exacto, porque eso es lo que sucederá si pregunto.
Federico Russo

@Kevin: leí la adición de Federico y estoy de acuerdo con él en que no cambia la intención de la pregunta. Las "diferencias en las características" (FR) son parte de las "diferencias operativas" (DS). Creo que debería ser Denilson el que decida una reversión.
stevenvh

@stevenvh, definitivamente no concuerda con lo que probablemente significó el póster en función de la respuesta aceptada. Tienes razón, necesitamos OP para sopesar. Sin embargo, cada comentario que se hace aquí lo está marcando.
Kortuk

Respuestas:


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Los transistores PNP funcionan de la misma manera que los NPN pero todos los voltajes y corrientes están invertidos. Conecta el emisor al potencial más alto, la fuente de corriente desde la base y la corriente principal fluye hacia el emisor y luego sale a través del colector.

- 0.7VBE será pero su magnitud debería ser la misma tanto en PNP como en NPN si usa partes complementarias.0.7V


Lo que parece estar describiendo en el primer párrafo es un transistor PNP, que no dijo. Esto tampoco responde a la pregunta, ya que se trataba más de la física del dispositivo. Nunca explicaste los portadores mayoritarios, agujeros, etc.
Olin Lathrop

@OlinLathrop, puede editar para mejorar la pregunta, pero en función de la respuesta aceptada, el OP está interesado principalmente en las diferencias operativas.
Kortuk

@OlinLathrop, intenté mejorar la legibilidad de mi respuesta. Como dijo Kortuk, no creo que el OP estuviera interesado en la física en absoluto.
jpc

Veo que la pregunta ha cambiado mientras tanto, o tal vez se fusionó. La pregunta original que vi preguntaba sobre la física y mencionaba específicamente los portadores y agujeros mayoritarios.
Olin Lathrop

@Olin He comprobado el historial de edición y parece que la pregunta ampliada que viste se debió a una adición de alguien no relacionado con el OP.
jpc

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Los transistores NPN y PNP son diferentes. Los electrones son más móviles que los agujeros, lo que significa que PNP no es tan bueno como NPN. Para los BJT de Si, los tipos de PNP están atrasados ​​en lo que respecta al voltaje de ruptura y la potencia realmente alta. Para dispositivos de uso general como BC337 / BC327, las cosas para todos los propósitos son las mismas, pero si quisieras hacer un SMPS fuera de línea, no sería fácil ni práctico a 1KW. Para germanio, se supone que la NPN es mejor, pero no lo es. Esto se debe a problemas de fabricación. El AC127 no es tan bueno como el AC128 y el AD161 no es tan bueno como el AD162 y sí, estos dispositivos se vendieron como pares coincidentes. La relación entre la movilidad de electrones y huecos es un factor determinante en qué tan cerca estará la PNP de la NPN. Esto es mucho peor para SiC, por lo que uno esperaría pésimos PNJ BJT, por lo que probablemente no se molestarán en hacerlos. Por alguna razón, los PNP tienen un ruido más bajo, por lo que se ven favorecidos en las etapas de entrada de par diferencial. La abundancia de chips controladores de highside es prueba de que PNP no es tan bueno como NPN.


+1 para resaltar las diferencias de movilidad entre electrones y agujeros. Un agujero no es un "equivalente positivo" de un electrón libre. Para la gente desconcertada por este comentario, por favor vea más aquí electronics.stackexchange.com/questions/199347/…
akhmed

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La única diferencia radica en la funcionalidad de los transistores. En la configuración de emisor con conexión a tierra (común), cuando se proporciona una corriente base (o para ser más práctico, cuando la base está conectada a un suministro de 5v) de un transistor PNP, no se produce conducción ya que los portadores mayoritarios en n región son electrones cuyo movimiento es suprimido y no se forma ninguna ruta b / w emisor y colector. Así no se obtiene o / p en la unión del emisor. Si se elimina la corriente base del transistor, se forma una ruta virtual en b / n del emisor y el colector que ofrece cierta resistencia al flujo de electrones que posteriormente se altera por la corriente base (o voltaje). Si en tal caso, el Vcc está directamente conectado al colector y el emisor está conectado a tierra a través de una resistencia (posiblemente 10k), entonces Vcc obtiene una ruta directa para aparecer en la unión del emisor. Por lo tanto, si se toma o / p en el emisor en el caso de PNP, la configuración es la de un inversor, mientras que en el colector el transistor funciona como un simple interruptor o búfer (esto es exactamente lo contrario de la configuración de NPN). software de simulación, no puedo presentar una vista pictórica. Pero espero que esto sirva para el propósito.

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